汉威科技等“一种多波长垂直腔面发射半导体激光器及其制备 *** ”专利获授权

天眼查APP显示，近日，长春理工大学,汉威科技集团股份有限公司申请的“一种多波长垂直腔面发射半导体激光器及其制备 *** ”专利获授权。摘要显示，一种多波长垂直腔面发射半导体激光器及其制备 *** ，属于半导体激光器技术领域，解决了现有技术存在只能输出单一波长，导致系统体积、成本、功耗增加，并且多区外延或者多个量子阱结构的设计，会导致工艺复杂度高，无法维持工作温度的稳定性和可靠性的技术问题。通过在垂直腔面发射半导体激光器结构中引入缺陷非均匀分布的缺陷层，使局部区域形成位错或空位富集区，产生非均匀分布的点缺陷，在激光器材料外延生长过程中缺陷传导到有源区从而导致在不同区域有源区材料应变不同，进而造成在不同区域有源区材料带隙不同。本发明用于实现半导体激光器的多波长输出，大幅简化外延生长工艺。